高通骁龙835处理器参数：三星10nm工艺，QC4.0快充

近日高通正式公布了2017年旗舰处理器-骁龙835，参数规格较820提升明显，支持QC4.0快充，采用三星10nm制程工艺。高通骁龙835处理器将取代骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。

不过目前高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。

三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高通骁龙835上具体数值还需要后续才能知晓。但高通骁龙835芯片面积将变得更小是毋庸置疑的。

QC4.0快充技术：高通公司提供了一些Quick Charge 4.0快速充电技术细节，QC4.0将使得充电速度更快，加强与各种设备、线缆和充电器的兼容性，并且更加安全。高通QC4.0快充的宣传语是“充电5分钟，使用5小时”，相比QC3.0速度要快20%，效率提升30%。通常来讲使用Quick Charge 4.0快充，充电15分钟可以充到50%以上电量。

不像Quick Charge 3.0那样，高通QC4.0快充技术全面兼容USB Type-C和USB-PD标准协议，包括USB供电。高通表示QC4.0快充技术也兼容谷歌最新公布的安卓7.0新的Type-C充电规格，包含更精确的电压、电流和温度，保护设备和充电器免受损害。另外对于过充电也有新的保护机制。

三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，LG和HTC也将推出搭载骁龙835的智能手机。