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明年国产高端手机将采用UFS 2.0方案存储芯片

2014-11-16 21:31 TOP数码 小雨

根据TOP数码最新消息,明年国产旗舰手机将采用更快的UFS 2.0方案存储芯片,目前三星方面已经开始试产UFS 2.0存储内存,预计明年中旬上市的国产高端手机将采用,包括华为中兴酷派魅族,还有一些小品牌。

目前旗舰级手机上常用的存储芯片大都支持eMMC 5.0规范,其理论上最大传输速度可达400MB/s。而据说三星和数十家国产手机厂商等正准备在下代产品中采用UFS 2.0方案的存储芯片,其理论传输速度高达1.2GB/s。

UFS 2.0方案存储芯片

UFS 2.0使用的是串行界面,很像PATA、SATA的转换。它支持全双工运行,可同时读写操作,期间的电源管理也更高效,此外还支持指令队列。相比之下,eMMC是半双工,读写必须分开执行,指令也是打包的。

上述消息来自韩国媒体ETNews,该媒体表示三星内部人士表示,采用UFS存储芯片的智能手机将于明年上市。考虑到这项技术必然是旗舰级产品最先采用,它应该会率先出现在三星的Galaxy S6上。

另外,UFS芯片的好处不仅传输速度快,功耗也要比eMMC 5.0低一半,可谓是下一代旗舰产品的理想搭配。

但想要使用UFS 2.0存储芯片,SOC首先要支持这一规范,在目前来说似乎只有骁龙805一款可以实现对UFS 2.0的支持(不太确定)。

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